SK hynix sẽ bắt đầu sản xuất chip băng thông cao 16 lớp đầu tiên trên thế giới vào đầu năm 2025

Ngày 4, SK hynix công bố kế hoạch bắt đầu sản xuất chip bộ nhớ băng thông cao (HBM) 16 lớp đầu tiên trên thế giới vào đầu năm 2025. 
 

Tại Hội nghị thượng đỉnh SK AI 2024 ở Seoul, Tổng giám đốc điều hành của SK hynix Kwak Noh-jung đã giới thiệu sản phẩm HBM3E 16 lớp trong bài phát biểu quan trọng và cho biết "Chúng tôi hiện đang chuẩn bị nhiều loại sản phẩm hàng đầu thế giới, những sản phẩm mới mẻ nhất, lần đầu tiên được phát triển và sản xuất hàng loạt trên thế giới".

Sản phẩm HBM3E 16 lớp là sản phẩm HBM3E cao cấp nhất, vượt trội hơn sản phẩm 12 lớp hiện có. 

Tổng giám đốc Kwak cho biết chip HBM3E 48GB sắp ra mắt, hiện đang được phát triển, chứng minh hiệu suất đào tạo được cải thiện 18% và khả năng suy luận tăng 32% so với phiên bản 12 lớp trong các nghiên cứu mô phỏng.

HBM3E 16 lớp được SK hynix  phát triển sẽ sử dụng công nghệ MR-MUF (mass reflow-molded under fil) tiên tiến, với liên kết lai đang được phát triển như một phương án dự phòng.

SK hynix có kế hoạch cung cấp mẫu HBM3E 16 lớp cho khách hàng vào đầu năm 2025.

"Chúng tôi đặt mục tiêu phát triển thành nhà cung cấp bộ nhớ AI đầy đủ thông qua sự hợp tác chặt chẽ với khách hàng, đối tác và các bên liên quan", Tổng giám đốc điều hành Kwak tuyên bố trong bài phát biểu quan trọng của mình.

Mặt khác, SK hynix có kế hoạch kết hợp xử lý logic vào khuôn cơ sở cho HBM4 thông qua quan hệ đối tác với một xưởng đúc toàn cầu hàng đầu, đồng thời cũng phát triển các giải pháp lưu trữ tính toán và CXL (compute express link: tiêu chuẩn mở cho giao tiếp tốc độ cao) để đáp ứng nhu cầu về bộ nhớ do AI điều khiển.