SK hynix thông báo vào ngày 21 về việc đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ NAND flash 4D TLC 321 lớp dung lượng 1Tb (terabit) và sẽ cung cấp đến tay khách hàng trong nửa đầu năm 2025.
Chip nhớ NAND flash 4D TLC 321 lớp dung lượng 1Tb, cao nhất thế giới, của Sk hynix. [Ảnh=SK hynix]
SK hynix cho biết: "Lần này, chúng tôi đã phá vỡ giới hạn công nghệ khi trở thành công ty đầu tiên giới thiệu chip nhớ NAND flash vượt quá 300 lớp. Chúng tôi sẽ đáp ứng nhu cầu thị trường bằng cách cung cấp các sản phẩm 321 lớp cho khách hàng bắt đầu từ nửa đầu năm tới".
NAND flash là chip bộ nhớ có thể lưu trữ dữ liệu ngay cả khi tắt nguồn với công nghệ xếp chồng (trong đó các ô nhớ được xếp chồng theo chiều dọc), giúp tăng dung lượng dữ liệu.
SK hynix trước đó đã sản xuất hàng loạt và cung cấp sản phẩm NAND 238 lớp, số lượng lớp cao nhất của thế hệ trước, ra thị trường vào tháng 6/2023, sau đó tung ra mẫu NAND 321 lớp, số lượng lớp cao nhất thế giới ở thời điểm hiện tại, vào tháng 8 cùng năm, chính thức hóa sự phát triển của chip nhớ NAND flash với hơn 300 lớp lần đầu tiên trên thế giới.
SK hynix giải thích rằng trong quá trình phát triển sản phẩm này, họ đã khắc phục những hạn chế của việc xếp chồng bằng cách giới thiệu công nghệ xử lý '3-Plug' cho hiệu quả sản xuất cao.
Sản phẩm mới nhất đi kèm với sự cải thiện 12% về tốc độ truyền dữ liệu và 13% về hiệu suất đọc, so với thế hệ trước. Nó cũng tăng cường hiệu quả năng lượng đọc dữ liệu hơn 10%.
Là công ty bộ nhớ đầu tiên bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND 300 lớp trở lên, giờ đây SK hynix đang ở vị trí thuận lợi để nhắm mục tiêu vào thị trường lưu trữ AI (thiết bị lưu trữ), chẳng hạn như SSD cho trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo (AI) và on-device AI, với nhu cầu đang ngày càng tăng.
SK hynix có kế hoạch dần dần mở rộng phạm vi sử dụng bằng cách tích cực đáp ứng các thị trường mới có hiệu suất cao, năng lượng thấp cho AI với NAND 321 lớp.
Choi Jeong-dal, phó chủ tịch phát triển NAND tại SK hynix, cho biết: "Chúng tôi sẽ tiến tới trở thành 'nhà cung cấp bộ nhớ AI đầy đủ (full stack)' với danh mục bộ nhớ hiệu suất cực cao hoàn chỉnh không chỉ ở bộ nhớ băng thông cao (HBM), mà còn ở NAND".
NAND flash là chip bộ nhớ có thể lưu trữ dữ liệu ngay cả khi tắt nguồn với công nghệ xếp chồng (trong đó các ô nhớ được xếp chồng theo chiều dọc), giúp tăng dung lượng dữ liệu.
SK hynix trước đó đã sản xuất hàng loạt và cung cấp sản phẩm NAND 238 lớp, số lượng lớp cao nhất của thế hệ trước, ra thị trường vào tháng 6/2023, sau đó tung ra mẫu NAND 321 lớp, số lượng lớp cao nhất thế giới ở thời điểm hiện tại, vào tháng 8 cùng năm, chính thức hóa sự phát triển của chip nhớ NAND flash với hơn 300 lớp lần đầu tiên trên thế giới.
SK hynix giải thích rằng trong quá trình phát triển sản phẩm này, họ đã khắc phục những hạn chế của việc xếp chồng bằng cách giới thiệu công nghệ xử lý '3-Plug' cho hiệu quả sản xuất cao.
Sản phẩm mới nhất đi kèm với sự cải thiện 12% về tốc độ truyền dữ liệu và 13% về hiệu suất đọc, so với thế hệ trước. Nó cũng tăng cường hiệu quả năng lượng đọc dữ liệu hơn 10%.
Là công ty bộ nhớ đầu tiên bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND 300 lớp trở lên, giờ đây SK hynix đang ở vị trí thuận lợi để nhắm mục tiêu vào thị trường lưu trữ AI (thiết bị lưu trữ), chẳng hạn như SSD cho trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo (AI) và on-device AI, với nhu cầu đang ngày càng tăng.
SK hynix có kế hoạch dần dần mở rộng phạm vi sử dụng bằng cách tích cực đáp ứng các thị trường mới có hiệu suất cao, năng lượng thấp cho AI với NAND 321 lớp.
Choi Jeong-dal, phó chủ tịch phát triển NAND tại SK hynix, cho biết: "Chúng tôi sẽ tiến tới trở thành 'nhà cung cấp bộ nhớ AI đầy đủ (full stack)' với danh mục bộ nhớ hiệu suất cực cao hoàn chỉnh không chỉ ở bộ nhớ băng thông cao (HBM), mà còn ở NAND".
![[MWC 24] Các start-up Hàn Quốc về công nghệ y tế và sức khỏe thu hút sự chú ý tại MWC](https://image.ajunews.com/content/image/2024/02/29/20240229141140590710_518_323.jpg)