Ngày 29, SK hynix thông báo đã phát triển thành công DRAM DDR5 16Gb (gigabyte) đầu tiên trên thế giới bằng công nghệ quy trình thế hệ thứ 6 (1c) loại 10nm. Bước đột phá này đẩy ranh giới của công nghệ quy trình bộ nhớ vào phạm vi 10nm ban đầu.
[Ảnh=SK hynix]
Trong ngành công nghiệp bán dẫn, DRAM 10nm được gọi bằng ký hiệu chữ cái cho mỗi thế hệ và 1x (thế hệ 1), 1y (thế hệ thứ 2), 1z (thế hệ thứ 3), 1a (thế hệ thứ 4), 1b (thế hệ thứ 5) và 1c là công nghệ thế hệ thứ 6.
SK hynix cho biết: "Khi công nghệ DRAM 10nm trải qua từng thế hệ, độ khó của việc xử lý vi mô ngày càng tăng lên. Dựa trên công nghệ thế hệ thứ 5 (1b), đã được chứng minh là có hiệu suất cao nhất trong ngành, chúng tôi đã cải thiện tính hoàn thiện của thiết kế và là công ty đầu tiên khắc phục được những hạn chế về công nghệ".
SK hynix có kế hoạch hoàn thành việc chuẩn bị cho việc sản xuất hàng loạt 1c DDR5 vào cuối năm nay và bắt đầu cung cấp sản phẩm một cách nghiêm túc vào năm 2025.
SK hynix bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM với công nghệ 1a vào tháng 7/2021 sử dụng ánh sáng cực tím (EUV) và đã sản xuất hàng loạt các sản phẩm với công nghệ 1b kể từ quý II năm ngoái.
Công ty giải thích rằng họ đã phát triển 1c bằng cách mở rộng nền tảng của 1b DRAM, giảm thiểu các lỗi tiềm ẩn và chuyển giao hiệu quả các lợi thế về hiệu suất. Bằng cách áp dụng các vật liệu mới vào các quy trình EUV cụ thể và tối ưu hóa ứng dụng EUV tổng thể, SK hynix đã cải thiện khả năng cạnh tranh về chi phí và tăng năng suất hơn 30% so với thế hệ trước.
1c DDR5 hoạt động ở tốc độ 8Gbps, nhanh hơn 11% so với thế hệ trước, với hiệu suất năng lượng tốt hơn 9%. Điều này có thể giúp các nhà cung cấp dịch vụ đám mây giảm tới 30% chi phí điện năng của trung tâm dữ liệu.
Kim Jong-hwan, giám đốc phát triển DRAM tại SK hynix cho biết: "Chúng tôi sẽ áp dụng công nghệ 1c này, đáp ứng cả hiệu suất cao nhất và khả năng cạnh tranh về chi phí, cho các sản phẩm DRAM hàng đầu thế hệ tiếp theo như HBM, LPDDR6 và GDDR7, nhằm mang lại giá trị khác biệt cho khách hàng".
SK hynix cho biết: "Khi công nghệ DRAM 10nm trải qua từng thế hệ, độ khó của việc xử lý vi mô ngày càng tăng lên. Dựa trên công nghệ thế hệ thứ 5 (1b), đã được chứng minh là có hiệu suất cao nhất trong ngành, chúng tôi đã cải thiện tính hoàn thiện của thiết kế và là công ty đầu tiên khắc phục được những hạn chế về công nghệ".
SK hynix có kế hoạch hoàn thành việc chuẩn bị cho việc sản xuất hàng loạt 1c DDR5 vào cuối năm nay và bắt đầu cung cấp sản phẩm một cách nghiêm túc vào năm 2025.
SK hynix bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM với công nghệ 1a vào tháng 7/2021 sử dụng ánh sáng cực tím (EUV) và đã sản xuất hàng loạt các sản phẩm với công nghệ 1b kể từ quý II năm ngoái.
Công ty giải thích rằng họ đã phát triển 1c bằng cách mở rộng nền tảng của 1b DRAM, giảm thiểu các lỗi tiềm ẩn và chuyển giao hiệu quả các lợi thế về hiệu suất. Bằng cách áp dụng các vật liệu mới vào các quy trình EUV cụ thể và tối ưu hóa ứng dụng EUV tổng thể, SK hynix đã cải thiện khả năng cạnh tranh về chi phí và tăng năng suất hơn 30% so với thế hệ trước.
1c DDR5 hoạt động ở tốc độ 8Gbps, nhanh hơn 11% so với thế hệ trước, với hiệu suất năng lượng tốt hơn 9%. Điều này có thể giúp các nhà cung cấp dịch vụ đám mây giảm tới 30% chi phí điện năng của trung tâm dữ liệu.
Kim Jong-hwan, giám đốc phát triển DRAM tại SK hynix cho biết: "Chúng tôi sẽ áp dụng công nghệ 1c này, đáp ứng cả hiệu suất cao nhất và khả năng cạnh tranh về chi phí, cho các sản phẩm DRAM hàng đầu thế hệ tiếp theo như HBM, LPDDR6 và GDDR7, nhằm mang lại giá trị khác biệt cho khách hàng".
![[CES2025] Samsung, SK, LG góp mặt tại CES 2025 tập trung trình diễn công nghệ AI thế hệ mới](https://image.ajunews.com/content/image/2024/12/13/20241213101654863387_518_323.jpg)