Ngày 25, SK hynix cho biết tập đoàn đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ NAND flash 321 lớp, một bước tiến mà công ty mô tả là công nghệ ô 4 lớp (Quad-level Cell, hay QLC) đầu tiên trên thế giới.
Chip nhớ flash NAND 321 lớp của SK hynix, chip có mật độ cao nhất thế giới cho đến nay. [Ảnh=SK hynix]
NAND flash, một loại bộ nhớ không bay hơi (non-volatile memory) có khả năng lưu trữ dữ liệu ngay cả khi không có nguồn điện, là một thành phần quan trọng trong ổ đĩa thể rắn (SSD) và trung tâm dữ liệu. Công nghệ QLC, lưu trữ bốn bit thông tin trong một ô (cell) duy nhất, cho phép mật độ cao hơn nhưng thường đi kèm với sự đánh đổi về tốc độ và độ bền.
SK hynix cho biết chip NAND QLC 2 terabit (Tb) mới của họ tăng gấp đôi dung lượng so với thế hệ trước, đồng thời vượt qua "giới hạn công nghệ" của xếp chồng bộ nhớ - quá trình xếp lớp cell theo chiều dọc để chứa nhiều dữ liệu hơn vào một diện tích nhỏ hơn.
Để khắc phục tình trạng chậm hiệu suất thường gặp ở chip có mật độ cao hơn, SK hynix cho biết họ đã tăng số lượng "mặt phẳng" (planes), hay nhóm hoạt động độc lập bên trong chip, từ 4 lên 6.
Sự thay đổi này cho phép xử lý song song tốt hơn, tăng tốc độ truyền dữ liệu lên gấp đôi so với sản phẩm QLC trước đó.
Tập đoàn cũng cho biết hiệu suất ghi được cải thiện tới 56%, hiệu suất đọc tăng 18% và hiệu suất năng lượng trong quá trình ghi dữ liệu tăng hơn 23%.
Con chip mới sẽ đầu tiên được giới thiệu trong ổ đĩa thể rắn PC trước khi được áp dụng cho điện thoại thông minh và các trung tâm dữ liệu quy mô lớn.
SK hynix cũng có kế hoạch sử dụng công nghệ đóng gói độc quyền của mình, xếp chồng 32 chip NAND cùng một lúc, để sản xuất ổ SSD doanh nghiệp dung lượng cực cao cho các máy chủ trí tuệ nhân tạo.
Jeong Woo-pyo, phó chủ tịch điều hành và người đứng đầu bộ phận phát triển NAND tại SK hynix cho biết: "Với sự tăng trưởng bùng nổ của nhu cầu AI và các yêu cầu hiệu suất cao của thị trường trung tâm dữ liệu, chúng tôi sẽ đạt được bước tiến lớn hơn với tư cách là nhà cung cấp bộ nhớ AI đầy đủ".
SK hynix cho biết chip NAND QLC 2 terabit (Tb) mới của họ tăng gấp đôi dung lượng so với thế hệ trước, đồng thời vượt qua "giới hạn công nghệ" của xếp chồng bộ nhớ - quá trình xếp lớp cell theo chiều dọc để chứa nhiều dữ liệu hơn vào một diện tích nhỏ hơn.
Để khắc phục tình trạng chậm hiệu suất thường gặp ở chip có mật độ cao hơn, SK hynix cho biết họ đã tăng số lượng "mặt phẳng" (planes), hay nhóm hoạt động độc lập bên trong chip, từ 4 lên 6.
Sự thay đổi này cho phép xử lý song song tốt hơn, tăng tốc độ truyền dữ liệu lên gấp đôi so với sản phẩm QLC trước đó.
Tập đoàn cũng cho biết hiệu suất ghi được cải thiện tới 56%, hiệu suất đọc tăng 18% và hiệu suất năng lượng trong quá trình ghi dữ liệu tăng hơn 23%.
Con chip mới sẽ đầu tiên được giới thiệu trong ổ đĩa thể rắn PC trước khi được áp dụng cho điện thoại thông minh và các trung tâm dữ liệu quy mô lớn.
SK hynix cũng có kế hoạch sử dụng công nghệ đóng gói độc quyền của mình, xếp chồng 32 chip NAND cùng một lúc, để sản xuất ổ SSD doanh nghiệp dung lượng cực cao cho các máy chủ trí tuệ nhân tạo.
Jeong Woo-pyo, phó chủ tịch điều hành và người đứng đầu bộ phận phát triển NAND tại SK hynix cho biết: "Với sự tăng trưởng bùng nổ của nhu cầu AI và các yêu cầu hiệu suất cao của thị trường trung tâm dữ liệu, chúng tôi sẽ đạt được bước tiến lớn hơn với tư cách là nhà cung cấp bộ nhớ AI đầy đủ".
