Sau Samsung, SK Hynix là cái tên thành công trong việc phát triển bộ vi xử lý thế hệ thứ ba 10 nano

SK Hynix đã thành công trong việc phát triển bộ vi xử lý thế hệ thứ ba 10 nano (nm). Công ty này chỉ mất 11 tháng để phát triển DRAM 4 tốc độ dữ liệu kép 10nm thế hệ thứ 3, sau khi phát triển thành công thế hệ thứ 2 vào tháng 11 năm ngoái.
 

Ngày hôm qua (22/10), SK Hynix đã thông báo chính thức rằng họ đã phát triển DRAM DDR4 16Gbit bằng cách sử dụng quy trình vi mô lớp 10nm thế hệ thứ 3 (1z).

DRAM là bộ nhớ có thể ghi nhớ, truyền, đọc, sửa đổi và xử lý thông tin trên PC hoặc thiết bị CNTT. Tốc độ hoạt động và mức tiêu thụ điện năng của DRAm sẽ được cải thiện tùy thuộc vào thế hệ DDR thay đổi. Cụ thể là đời thế hệ càng cao từ 1 → 2 → 3 → 4 thì tốc độ, chức năng cũng như hiệu suất của DRAM càng tốt.

Khi tốc độ và công suất tăng, chiều rộng của mạch điện mang tín hiệu phải hẹp hơn. 10 na no để ám chỉ công đoạn tạo ra chiều rộng của mạch điện nhỏ chỉ bằng 10nm (tức là 1/100 triệu m). Quá trình này được chia thành các giai đoạn 1x, 1y, 1z, mạch càng nhỏ theo chiều từ x đến z. Chip càng nhỏ thì số lượng chip được lắp giáp càng nhiều khiến cho hiệu suất của bản mạnh càng mạnh.

DRAM được phát triển bởi SK Hynix là DRAM có công suất lớn nhất trong lĩnh vực chip đơn. Tổng dung lượng bộ nhớ được tạo ra bởi một bán đĩa dẫn (wafer) cũng lớn nhất trong số các DRAM hiện có. Thông thường, cần có 8 DRAM 8Gb để tạo mô-đun 8GB phù hợp với một chiếc PC văn phòng, nhưng có số này chỉ là 4 với DRAM 16Gb.

Bộ vi xử lí này có năng suất được cải thiện hơn 27% so với các sản phẩm 2G (1y) và khả năng cạnh tranh về chi phí cũng tăng lên. Có thể sản xuất mà không cần quá trình tiếp xúc với tia cực tímcó giá thành cao(EUV).

Tốc độ dữ liệu lên tới 3200Mbps, tốc độ cao nhất của thông số kỹ thuật DDR4. Nó cũng cải thiện hiệu suất năng lượng bằng cách giảm mức tiêu thụ năng lượng khoảng 40% so với các mô-đun có cùng công suất được tạo ra với các sản phẩm 8Gb thế hệ thứ hai. Đặc biệt, các sản phẩm thế hệ thứ 3 đã sử dụng các vật liệu mới mà trong quy trình sản xuất thế hệ trước không được sử dụng, giúp tối đa hóa điện dung, một yếu tố chính của hoạt động DRAM.

SK hynix có kế hoạch mở rộng công nghệ vi xử lý 10 nano thế hệ thứ 3 sẽ được sử dụng trong các ứng dụng khác nhau như DRAM di động thế hệ tiếp theo, LPDDR5 và DRAM siêu nhanh, bộ nhớ băng thông cao (HBM) 3.

Lee Jung-hoon, người đứng đầu đơn vị đặc nhiệm 1z (TF) dự án phát triển DRAM của SK Hynix, cho biết: "DRAM này phù hợp với các khách hàng đang tìm kiếm các sản phẩm có hiệu suất, dung lượng và tốc độ cao. Dự kiến trong năm tới, sản phẩm này sẽ được tập trung cung cấp ra thị trường."

SK Hynix là đơn vị thứ 3 trong việc phát triển DRAM DDR4 thế hệ thứ ba sau doanh nghiệp Samsung Electronics và Micron. Samsung Electronics đã bắt đầu sản xuất hàng loạt vào tháng 9 sau khi hoàn thành phát triển sản phẩm 8Gbit 10nm thế hệ thứ 3 (1z) vào tháng 3 năm nay. Micron đã sản xuất các sản phẩm 16Gbit 10-nano (1z) kể từ tháng 8. SK Hynix dự kiến sẽ hoàn thành các thủ tục sản xuất hàng loạt trong năm nay và bắt đầu sản xuất từ năm tới.

Một quan chức của ngành công nghiệp bán dẫn cho biết: "Mặc dù việc kinh doanh chất bán dẫn trong năm nay không thuận lợi, nhưng với việc phát triển và sản xuất các sản phẩm vi xử lí này, các cái tên như Samsung Electronics và SK Hynix sẽ phục hồi tình hình kinh doanh trong tháng tới.Đặc biệt, việc phát triển các sản phẩm trong công đoạn nhỏ như này sẽ đóng góp quan trọng vào hoạt động tích cực của ngành bán dẫn trong nước".